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  磁阻傳感器基本可分為兩個類別。在高磁場應用中，例如施加場的磁場強度高到足以使軟磁傳感器材料達到飽和（約為 H>10 kA/m）時，傳感器中的磁化矢量始終（幾乎）平行于施加場。磁阻高磁場傳感器的一個常見應用是非接觸式角度傳感器，例如 KMT32B、KMT36H 或 KMT39 磁阻傳感器。在低磁場應用中，磁化矢量主要由帶條的形式決定，因為磁化顯示了縱向流變的自然偏好。外部磁場導致帶條中磁化的 α 扭曲，這在 MR 效應的作用下改變了電阻。此模式中通常會使用線性低磁場傳感器。

  磁阻效應，1857年科學家將一個鐵塊放在磁場中，注意到鐵塊的電阻發(fā)生了微弱變化，由此發(fā)現(xiàn)了磁阻效應。但直到 100 多年后的 1971 年，才第一次提出了磁阻傳感器的概念。，到了1991年，IBM 公司在硬盤驅動器中引入了第一個 MR 頭，使用一條磁阻材料來檢測位數。此前，MR 傳感器只是用于要求不高的價格標簽和標記閱讀器（只讀）及磁帶應用中。

  監(jiān)控溫度、壓力、張力或流量等屬性的傳感器會提供與所需參數直接相關的輸出信號。另一方面，磁傳感器不同于大多數的這類檢測器，因為磁傳感器通常不是直接測量相關的物理屬性，而是檢測變化，或者由物體或事件造成或改變的磁場干擾。因此，磁場可能帶有與方向、存在狀態(tài)、旋轉、角度或電流等屬性相關的信息，而這些信息將由磁傳感器轉換為電壓。少數磁傳感器是完全測量磁場，例如指南針中測量地磁場。輸出信號需經過一些信號處理以轉換為所需參數。顯然，磁場分布取決于產生或干擾磁場的物體（即磁體、電流等）或事件的距離和形式。因此，在應用設計中，應始終考慮傳感器和產生磁場的物體這兩方面的因素，這一點非常重要。盡管磁傳感器的使用難度更大，但卻能提供精確、可靠的數據，而且無需使用物理連接。